三星2納米GAA制程加速推進，目標2025年底實現70%良率快訊
三星首款采用2納米GAA技術的芯片將是其自研Exynos 2600，三星已將2納米GAA的良率目標從原定的50%大幅提高至70%，暗示公司正順利實現其預期的2納米制程良率和芯片性能目標。
【TechWeb】據報道，三星電子近期在先進半導體技術領域展現出強勁的信心，特別是對其2納米GAA制程的進展高度樂觀。在由總統辦公室政策首席Kim Yong-beom主持的一次半導體產業會議上，三星設備解決方案部門總裁兼技術長Song Jae-hyuk對2納米GAA制程給出了極高的評價，暗示公司正順利實現其預期的2納米制程良率和芯片性能目標。
三星晶圓代工業務近年來一直被臺積電大幅領先市場份額，但目前情況似乎有所轉變。三星已將2納米GAA的良率目標從原定的50%大幅提高至70%，并計劃在2025年底實現這一目標。知情人士透露，這一調整反映了三星對其2納米制程技術的高度自信。
Song Jae-hyuk在會議上表達了三星的雄心壯志，希望借助2納米GAA節點的成功，最終在全球晶圓代工市場中奪取第一的位置。不過他也坦言，在追趕臺積電以及應對技術和人力挑戰方面，公司需要政府提供強有力的支持。
三星首款采用2納米GAA技術的芯片將是其自研Exynos 2600，據初步的內部測試結果顯示，Exynos 2600性能超越了競爭對手蘋果的A19 Pro和高通的第五代驍龍8至尊版。該芯片預計將搭載于2026年發布的Galaxy S26系列手機中，采用10核CPU架構，包括一個超大核、三個大核和六個小核，并在圖形處理方面集成了全新的Eclipse 960 GPU，據稱其性能比高通當前旗艦驍龍8 Elite所搭載的Adreno 830 GPU高出約15%。
值得注意的是，三星的第二代2納米制程SF2P工藝已完成工藝設計套件開發，與第一代相比實現了性能提升12%、功耗降低25%和芯片面積減少8%的三重優化。然而，分析師指出SF2P目前的良率約為40%至50%，仍低于臺積電N2工藝的70%以上。
此外，三星位于美國德克薩斯州的泰勒工廠原計劃生產4納米制程芯片，后升級到2納米以與臺積電和英特爾競爭。盡管該工廠面臨客戶需求不足等挑戰，三星仍堅持推進這一戰略布局，顯示其對2納米制程技術的堅定信心。（Suky）
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